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2023年9月14日 碳化硅(SiC)具有更高热导率、高击穿场强等优点,适用于制作高温、高频、高功率器件,新能源汽车是未来第一大应用市场,2027年新能源汽车导电型SiC 功率器件市 2019年9月5日 碳化硅芯片主要的工艺设备基本上被国外公司所垄断，特别是高温离子注入设备、超高温退火设备和高质量氧化层生长设备等，国内大规模建立碳化硅工艺线所采 第三代半导体发展之碳化硅（SiC）篇 - 知乎
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4 天之前 碳化硅衬底切割技术是将SiC晶锭沿着一定的方向切割成晶体薄片的过程。 将SiC晶锭切成翘曲度小、厚度均匀的晶片。 切割方式和切割质量影响晶片的厚度、粗糙 2024年8月16日 碳化硅 (SiC) 是制作高温、高频、大功率电子器件的理想电子材料, 近 20 年来随着外延设备和工艺技术水平不断 提升, 外延膜生长速率和品质逐步提高, 碳化硅在新 化学气相沉积法碳化硅外延设备技术进展 - 电子工程专辑 EE ...
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2022年12月1日 在碳化硅工艺制造过程中，典型的高能离子注入设备主要由离子源、等离子体、吸出组件、分析磁体、离子束、加速管、工艺腔和扫描盘等组成，如图2所示。2023年2月4日 碳化硅器件具有耐高温、耐高压、转化效率高等优点，但高硬脆、低断裂韧性对生产工艺有着极其苛刻的要求，大尺寸的碳化硅晶体制备一直是行业的“卡脖子”技术。重磅丨晶盛机电成功发布6英寸双片式碳化硅外延设备
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2023年2月26日 高可靠性几大优势，契合三代半导体封装需求，纳米银烧结设备成为碳化硅封装 固化工艺的最核心设备，截至2022 年未实现国产化。根据我们测算，预计2025 年 2023年12月8日 碳化硅器件在极端工作条件下的可靠性对于保证系统的稳定运行起着至关重要的作用，主要的问题有雪崩失效、短路失效和浪涌失效等。器件的短路失效和浪涌失效除了热失效原因外，高温下场氧区断裂或铝熔化破坏栅氧导致栅源短路也是两个原因，这对于沉积、热氧化工艺也提出了更高的要求。衍梓装备：业内首款改进工艺SiC栅氧制备设备_
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2023年3月13日 在设备环节，碳化硅晶圆和器件的制备基本工艺流程同硅基半导体基本一致，大部分工艺段设备可以与硅基半导体工艺兼容，但由于碳化硅熔点较高、硬度较大、热导率较高、 键能较强的特殊性质，使得部 2023年5月21日 碳化硅的磨抛设备分为粗磨和细磨设备，粗磨方面国产设备基本可以满足加工需求，但是细磨方面主要采购来自于日本不二越、英国log-itech、日本disco等公司的设备，采用设备与工艺打包销售的方式，极大 造一颗SiC芯片，需要哪些关键设备？_工艺_碳化硅_
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2021年7月21日 单晶生长工艺 正追赶世界先进水平 今年1月，湖南省首个第三代半导体产业园及国内首条碳化硅研发生产全产业链产线封顶。据介绍，该项目主要包含碳化硅长晶、衬底、外延、芯片、器件封装等厂房及相关配套设施建设，项目全面建成投产后 ...2020年12月8日 目前全球95%以上的半导体元件，都是以第一代半导体材料硅作为基础功能材料，不过随着电动车、5G等新应用兴起，硅基半导体受限硅材料的物理性质，在性能上有不易突破的瓶颈，因此以氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）为工艺详解碳化硅晶片的工艺流程 - 知乎
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2023年11月12日 基于上述情况，如今碳化硅晶体制备难点更在于工艺而非设备本身，碳化硅长晶炉与传统硅晶有相同性，结构不算复杂，单价不到100万/ 台，已经基本实现国产化，而工艺上每家衬底厂商都有细微差别，也是核心技术所在，因此许多衬底厂商都 ...2023年11月30日 基于上述情况，如今碳化硅晶体制备难点更在于工艺而非设备本身，碳化硅长晶炉与传统硅晶有相同性，结构不算复杂，单价不到100万/ 台，已经基本实现国产化，而工艺上每家衬底厂商都有细微差别，也是核心技术所在，因此许多衬底厂商都 ...2025市场达200亿，碳化硅关键设备企业迎历史机遇 - 艾邦 ...
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2022年8月11日 化学气相沉积法碳化硅外延设备技术进展 韩跃斌1,2,蒲 勇1,2,施建新1,2 (1.材料科学姑苏实验室,苏州 215000;2.芯三代半导体科技(苏州)有限公司,苏州 215021) 摘要:碳化硅(SiC)是制作高温、高频、大功率电子器件的理想电子材料,近20年来随着外延设备和工艺2024年8月16日 摘要碳化硅(SiC)是制作高温、高频、大功率电子器件的理想电子材料,近20 年来随着外延设备和工艺技术水平不断 提升,外延膜生长速率和品质逐步提高,碳化硅在新能源汽车、光伏产业、高压输配线和智能电站等化学气相沉积法碳化硅外延设备技术进展 - 电子工程专辑 EE ...
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2019年6月13日 二是碳化硅芯片主要的工艺设备基本上被国外公司所垄断，特别是高温离子注入设备、超高温退火设备和高质量氧化层生长设备等，国内大规模建立碳化硅工艺线所采用的关键设备基本需要进口。三是碳化硅器件高端检测设备被国外所垄断。 4. 碳化硅功率模块2023年11月12日 目前国内的碳化硅长晶炉设备供应商主要有北方华创和晶升股份，两者在国内占有的份额超过70%，考虑到与工艺的契合性，衬底厂商一般不轻易改变长晶炉的购买渠道，其他企业想要插入进来并不容易，不过如今碳化硅产业疯狂扩2025市场达200亿，碳化硅关键设备企业迎历史机遇_产能 ...
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2024年5月17日 4.碳化硅外延设备 碳化硅外延设备是一种用于在碳化硅衬底上生长外延层的设备，碳化硅外延设备在制造高质量碳化硅外延片和晶片方面具有广泛的应用。在下游需求刺激下，近两年中国碳化硅外延片生产商掷出了数倍的扩产计划，我国碳化硅外延设备市场规模2024年8月16日 半导体工艺与设备 1、半导体工艺研究、梳理和探讨。 2、半导体设备应用、研发和进展。 3、建华高科半导体设备推广，包括：曝光机、探针台、匀胶机和切片机。 4、四十五所半导体设备推广，包括：湿化学设备、先进封装设备、电子元器件生产设备等。一文为您揭秘碳化硅芯片的设计和制造 - 电子工程专辑 EE ...
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2020年12月2日 控制碳化硅外延缺陷，方法一是谨慎选择碳化硅衬底材料；二是设备选择及国产化；三是工艺技术。碳化硅外延技术进展情况： 在低、中压领域，目前外延片核心参数厚度、掺杂浓度可以做到相对较优的水平。2023年11月16日 碳化硅器件制造环节与硅基器件的制造工艺流程大体类似，主要包括光刻、清洗、掺杂、蚀刻、成膜、减薄等工艺。碳化硅材料的特殊性质决定其器件制造中某些工艺需要依靠特定设备进行特殊开发，以促使碳化硅器件耐高压、大电流功能的实现。碳化硅器件制造工艺流程
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2023年12月21日 切割是碳化硅晶棒第一道加工工序，决定了后续研磨、抛光的加工水平。随着市场对碳化硅衬底的质量和良率要求越来越严格，切割工艺也从传统的内圆锯切割和金刚石带锯、电火花切割等手段转变到线锯切割（包括游离磨砂线锯切割和金刚石线锯切割），目前各大厂商也有在验证或关注下一代的 ...2024年3月11日 碳化硅设备行业深度报告：多技术并行，碳化硅衬底切片设备加速国产化。 碳化硅材料兼具高性能+低损耗优势，晶体生长和切割是产业化瓶颈。 优势：1）高性能：碳化硅相比硅有四大优势：大带隙、大载流子漂移速率、大热导率和大击穿电场，做成的器件对应有四高性能：高功率、高频率、高温 ...碳化硅制备工艺包括哪些？ - 问答集锦 - 未来智库
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Candela 8520第二代集成式光致发光和表面检测系统，设计用于对碳化硅和氮化镓衬底上的外延缺陷进行高级表征。采用统计制程控制(SPC)的方法来进行自动晶圆检测，可显著降低由外延缺陷导致的良率损失，最大限度地减少金属有机化学气相沉积(MOCVD)反应器的工艺偏差，并增加MOCVD反应器的正常运行 ...4 天之前 通过对现有碳化硅衬底磨抛技 术的总结及分析，未来碳化硅衬底磨抛加工技术的 发展将集中在工艺参数的优化、新磨料及抛光液的 研究、加工设备的自动化和智能化发展、环保加工方 法的开发、多尺度磨抛加工以及跨学科研究等方面.碳化硅衬底磨抛加工技术的研究进展与发展趋势 - 艾邦半导体网
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物理气相传输法是通过物理升华现象在籽晶上生长晶体的方法，该方法是由Lely法改进而来。如今，PVT工艺被认为是碳化硅单晶生长的标准方法。凭借出色的性能，使用 PVT 工艺生产的晶体主要用于半导体行业（半导体材料）和微电子行业等研发领域。2022年5月11日 把碳化硅价格“打下来” 2024.07.23 4米的碳化硅“大眼睛”是怎么炼成的？——访中国科学院长春光学精密器械与物理研究所研究员王孝坤 2024.07.22 衬底加工难度大：碳化硅半导体“天价”的隐形推手——访河南工业大学栗正新教授 2024.07.15一张图了解生产碳化硅晶片的灵魂装备——长晶炉-一张图-资讯 ...
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2023年2月27日 碳化硅产业资本开支加速，供应链安全可控助力国产碳化硅设备厂商突围 碳化硅晶圆和器件的制备基本工艺流程同硅基半导体基本一致，但部分工艺段使用专用设备，部分需要在硅设备基础上加以改进。根据我们梳理，目前长晶设备已基本实现国产化2024年8月20日 8月19日，国内半导体设备厂商芯碁微装宣布，公司旗下MLF系列设备首次出口至日本。 芯碁微装表示，公司MLF系列直写光刻设备专为高精度、高效能的泛半导体封装应用而设计，特别适用于功率半导体，如绝缘栅双极型晶体管（IGBT）的封装工艺。国产碳化硅相关设备出口日本_导体_功率_工艺
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4 天之前 碳化硅衬底有诸多缺陷无法直接加工，需要在其上经过外延工艺生长出特定单晶薄膜才能制作芯片晶圆，这层薄膜便是外延层。几乎所有的碳化硅器件均在外延材料上实现，高质量的碳化硅同质外延材料是碳化硅器件研制的基础，外延材料的性能直接决定了碳化硅器件 2024年8月14日 VERIC A6151A SiC高温退火炉具有无金属、长寿命的加热系统及特殊设计的高可靠工艺腔室，具备在氩气、氮气和氢气等气体氛围下的高温退火工艺，温度可达2000℃。SiC高温退火炉 - 产品管理 - 北方华创
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2023年12月22日 碳化硅长晶炉作为衬底生长的核心工艺设备，对行业的发展起到决定性作用。考虑到与工艺的契合性，衬底厂商一般不轻易改变长晶炉的购买渠道，其他企业想要插入进来并不容易，不过如今碳化硅产业疯狂扩产或有新的机遇。2023年5月13日 磨抛设备 碳化硅的磨抛设备分为粗磨和细磨设备，粗磨方面国产设备基本可以满足加工需求，但是细磨方面主要采购来自于日本不二越、英国log-itech、日本disco等公司的设备，采用设备与工艺打包销售的方式，极大的增加了工艺厂商的使用成本和维护成本。造一颗SiC芯片，需要哪些关键设备？_中国纳米行业门户
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2024年1月23日 一般来说，高温扩散工艺简单，设备 便宜，掺杂分布轮廓为等向性，且高温扩散工艺引入的晶格损伤低。离子注入工艺复杂且设备昂贵 ... 多种扩散缺陷会恶化器件的电学性能，无法使用常见的光刻胶作掩膜等等，所以离子注入工艺成为了碳化硅 ...4 天之前 新设全资子公司连科半导体与清华大学合作，发展半导体相关业务，规划建设半导体大硅片长晶和加工设备、碳化硅长晶和加工设备的研发和生产制造基地。2024年5月上线“新一代8英寸碳化硅长晶炉”。 图 PVT-MF-50型碳化硅感应式长晶炉 长晶工艺：PVT 法、液国内碳化硅（SiC）长晶炉供应商10强 - 艾邦半导体网
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5 天之前 【晶升股份：碳化硅切割设备正在两家客户现场进行多轮工艺测试】《科创板日报》23日讯，晶升股份在接受调研时表示，碳化硅切割设备进展顺利，目前正在两家客户现场进行多轮工艺测试，近几轮测试结果显示设备的主要技术指标与进口同类型产品指标接近，后续公司将在持续优化的同时，验证 ...
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