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2016年10月10日 碳化硅、刚玉微粉湿法分级工艺介绍. 摘要：粉体采用湿法分级工艺，是干法分级不可代替的传统工艺。. 溢流分级使颗粒表面更清洁，粒度氛围更趋于符合产品的组成范围。. 本文阐述了以碳化硅、刚玉微 2017年6月30日 目前湿法分级设备主要分为离心式水力方式和重力沉降式两大类。湿法分级采用液体作为分级介质，虽然存在着需要二次处理问题，但它有着分级精度高、无爆炸 一文读懂超细粉体湿法分级技术与设备_技术_磨料磨具网 ...
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这不仅扬尘严重,而且当冶炼工段采用湿法扒炉工艺时,也遇到了一定的困难。湿法破碎工艺的研究对整个碳化硅车间的防...[/####] 湿法腐蚀工艺研究碳化硅晶体缺陷表面形貌.pdf2023年3月7日 晶体质量表征和缺陷分析是改善 SiC 晶体质量的重要环节，目前主要的研究方法 是湿法腐蚀。湿法腐蚀装置简易，操作过程简单，对材料的几何外形没有特殊要求，适合用于 SiC 晶体 缺陷表征。湿法腐蚀 碳化硅湿法腐蚀工艺研究、碳化硅（SiC）、法腐蚀工艺
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2017年3月22日 本文阐述了以 碳化硅 、 刚玉 微粉为例的分级工艺，希望起到抛砖引玉的效果。 一、对粉体湿法分级工艺的认识. 水力分级是根据流体动力学的原理，使颗粒物料在 2022年3月10日 半导体碳化硅 (SiC)具有禁带宽度大、电子饱和漂移速度高、击穿场强高、热导率高、化学稳定性好等优异特性，是制备高性能功率器件等半导体器件的理想材 半导体碳化硅湿法腐蚀工艺研究_张序清 - 道客巴巴
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2022年3月20日 蚀(RIE)、高温气体刻蚀等干法刻蚀技术,而湿法腐蚀具有腐蚀速率高、缺陷选择性等特点,可以作为干法刻 蚀的技术补充[13-15]。SiC的湿法腐蚀过程主要包括晶体 2022年3月14日 半导体碳化硅湿法腐蚀工艺研究. 碳化硅 (SiC)具有禁带宽度大,电子饱和漂移速度高,击穿场强高,热导率高,化学稳定性好等优异特性,是制备高性能功率器件等半导 半导体碳化硅湿法腐蚀工艺研究 - 百度学术
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4 天之前 近日公司子公司创微微电子（常州）有限公司（以下简称：创微微电子）在竞标中技术与商务综合评估领先，中标半导体碳化硅整线湿法设备订单并顺利完成合同签署。. 2024年7月10日 7月9日，光伏设备大厂捷佳伟创宣布，继4月份半导体碳化硅整线湿法设备订单并完成合同签署后，近日公司子公司创微微电子（常州）有限公司（以下简称：创微微电子）再次斩获另一家半导体头部企业整线湿法设备订单，目前已完成合同签订工作。18台碳化硅整线湿法设备！这家光伏设备大厂再次中标
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4 天之前 创微微电子）在竞标中技术与商务综合评估领先，中标半导体碳化硅整线湿法 设备订单并顺利完成合同签署。 近日公司子公司创微微电子（常州）有限公司（以下简称：创微微电子）在竞标中技术与商务综合评估领先，中标半导体 ...2022年3月10日 第51卷第期0年月人工晶体学报JOURNALOFSYNTHETICCRYSTALSVol．51No．February，0半导体碳化硅湿法腐蚀工艺研究张序清1，，罗昊1，李佳君，王蓉，杨德仁1，，皮孝东1，1．浙江大学硅材料国家重点实验室材料科学与工程学院，杭州31007;．浙江大学杭州国际科创中心，杭州31100摘 半导体碳化硅湿法腐蚀工艺研究_张序清 - 道客巴巴
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2014年6月2日 关键词： 湿法研磨； 碳化硅粉体； 机械力化学效应 中图法分类号： TF123.1+11； TF123.3+1 文献标识码： A 文章编号： 1002-185X(2013)S1-388-04 碳化硅是一种重要的人工合成无机非金属材料， 由于具有高强度、 高硬度、 耐高温、 耐腐蚀2023年12月4日 摘要半导体碳化硅(4H-SiC)材料具有硬度高、脆性大、化学性质稳定等特点，一般使用化学机械抛光工艺来加工SiC以获得超光滑平坦表面。湿法氧化作为单晶SiC化学机械抛光的重要过程，直接影响着CMP的速相关的技术文库，帮助电子工程师学习最新 ...图文详解碳化硅衬底的湿法氧化 - 面包板社区
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2022年3月20日 第2期 张序清等:半导体碳化硅湿法腐蚀工艺研究 335 1.2 电化学腐蚀装置 SiC半导体材料的电化学腐蚀装置一般采用三电极电化学体系[29-31]。在图2(a)所示的装置中,n型 4H-SiC晶片作为工作电极(WE),铂电极作为辅助电极(CE),甘汞电极作为参比电极(RE ...2022年3月14日 摘要： 碳化硅(SiC)具有禁带宽度大,电子饱和漂移速度高,击穿场强高,热导率高,化学稳定性好等优异特性,是制备高性能功率器件等半导体器件的理想材料.得益于工艺简单,操作便捷,设备要求低等优点,湿法腐蚀已作为晶体缺陷分析,表面改性的常规工艺手段,应用到了SiC晶体生长和加工中的质量检测以及 ...半导体碳化硅湿法腐蚀工艺研究 - 百度学术
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2023年11月29日 碳化硅，是一種無機物，化學式為SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高温冶煉而成。碳化硅是一種半導體，在自然界中以極其罕見的礦物莫桑石的形式存在。自1893年以來已經被大規模生產為粉末和晶體，用作磨料等。在C、N、B等非氧化物 ...2017年3月22日 摘要 粉体采用湿法分级工艺，是干法分级不可代替的传统工艺。 溢流分级使颗粒表面更清洁，粒度氛围更趋于符合产品的组成范围。本文阐述了以碳化硅、刚玉微粉为例的分级工艺，希望起到抛砖引玉的效果。 一、对粉体湿法分级工艺的认识 ...碳化硅、刚玉微粉湿法分级工艺介绍_资讯_磨料磨具网_磨料 ...
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2019年4月5日 可选地，所述湿法清洗的清洗剂包括浓硫酸、硝酸、盐酸、氢氟酸、磷酸、双氧水和去离子水中的至少一种。可选地，所述湿法清洗的清洗温度为20～150℃。优选地，所述湿法清洗使用超声或兆声波清洗。可选地，所述湿法清洗选自rca湿式化学清洗技术。2021年10月22日 图 3 n型6H-碳化硅在22.5℃0.1M氢氧化钾溶液中不同光强下的电流密度-电势图 结论 对于 p型碳化硅在暗条件下和在光照条件下的n型碳化硅，均能获得较高的阳极蚀刻率。碳化硅的溶解速率与氢氧化钾浓度有密切的关系和温度关系。碳化硅在碱性溶液中的阳极刻蚀 - 华林科纳（江苏）半导体 ...
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2007年6月29日 生产规模较小时，可采用永磁块湿法磁选。 当生产规模较大时，可采用湿式电磁磁选机，如CST162型电磁除铁机。 该机磁场强度为7000奥斯特以上，每隔20~30min停机取出滤片清洗一次，可使物料的磁性物含量降至0.002%以上。2024年7月30日 整的光滑表面。研究表明,湿法氧化过程是决定4H-SiC 衬底CMP加工效率的重要因素[4]。因此,深入理解 4H-SiC的湿法氧化机理并提升4H-SiC的湿法氧化速 率,是提升4H-SiC表面质量和CMP加工效率的重要基础。本文以4H-SiC的湿法氧化为主题,讨论了目前半导体碳化硅衬底的湿法氧化
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研究了碳化硅粉体在湿法研磨过程中的机械力化学效应。通过粒度分析仪、X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)等手段对不同累积研磨时间下所获碳化硅粉体的特性进行分析。 结果表明:随着研磨时间的延长,碳化硅粉体粒度逐渐减小,粉体颗粒均匀化、规则化 ...2022年3月21日 碳化硅(SiC)具有禁带宽度大、电子饱和漂移速度高、击穿场强高、热导率高、化学稳定性好等优异特性,是制备高性能功率器件等半导体器件的理想材料.得益于工艺简单、操作便捷、设备要求低等优点,湿法腐蚀已作为晶体缺陷分析、表面改性的常规工艺手段,应用到了SiC晶体生长和加工中的质量检测 ...半导体碳化硅湿法腐蚀工艺研究
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2021年4月27日 其余，生产中大部分采用 干法刻蚀。 干法刻蚀与湿法腐蚀工艺利用药液处理的原理不同，干法刻蚀在刻蚀表面材料时，既存在化学反应又存在物理反应。因此在刻蚀特性上既表现出化学的等方性，又表现出物理的异方性。摘要： 机械力化学作为一门新兴的边缘学科,涉及到了固体力学,表面化学,应用化学,粉体科学等多学科.本文研究碳化硅粉体在湿法研磨过程中的机械力化学效应.通过粒度分析仪,X射线衍射仪(XRD),扫描电镜(SEM)等手段对不同累积研磨时间粉体样品的特性进行分析研究.结果表明:随着研磨时间的延长 ...碳化硅粉体湿法研磨中机械力化学效应研究 - 百度学术
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2013年2月17日 37卷第3期人工晶体学报v。1．37N。．32008年6月JOURNALOFSYNTHETICCRYSTALSJune，2008湿法腐蚀工艺研究碳化硅晶体缺陷表面形貌杨莺，陈治明（西安理工大学电子1－程系，西安710048）摘要：采用湿法腐蚀工艺，对P、叮法生长的碳化硅单晶缺陷进行了研究。2024年4月22日 近日公司子公司创微微电子（常州）有限公司（以下简称：创微微电子）在竞标中技术与商务综合评估领先，中标半导体碳化硅整线湿法设备订单并顺利完成合同签署。 近日公司子公司创微微电子（常州）有限公司（以下简称：创微微电子）在竞标中技术与商务综合评估领先，中标半导体碳化硅整 ...子公司中标半导体碳化硅整线湿法设备订单并完成合同签署 ...
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2024年1月17日 技术领域 本发明涉及碳化硅加工技术领域，特别涉及一种快速加热湿法腐蚀碳化硅半导体材料的方法。背景技术 碳化硅(silicon carbide，SiC)作为一种具有广阔应用前景的半导体材料，在高压大功率能源传输与转化系统中得到了广泛应用。2019年6月1日 碳化硅微粉的生产加工工艺也是非常复杂的。碳化硅微粉的磁选设备多选用湿式磁选机。因为碳化硅微粉的颗粒比较小，因此干法磁选会造成粉尘飞扬。碳化硅粒度组成的检查是碳化硅使用生产加工过程中必备过程程，这一过碳化硅微粉的化学处理和检查方法 - 知乎
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碳化硅脱硫喷嘴简介 碳化硅是一种硬度极高的特种陶瓷材料，广泛应用于多种工业领域。在电厂的湿法脱硫中，由于喷雾介质是石灰浆液，具有很强的磨蚀性，因此采用具有极佳耐磨损性能的碳化硅作为喷嘴材料。2022年3月14日 摘要： 碳化硅(SiC)具有禁带宽度大,电子饱和漂移速度高,击穿场强高,热导率高,化学稳定性好等优异特性,是制备高性能功率器件等半导体器件的理想材料.得益于工艺简单,操作便捷,设备要求低等优点,湿法腐蚀已作为晶体缺陷分析,表面改性的常规工艺手段,应用到了SiC晶体生长和加工中的质量检测以及 ...半导体碳化硅湿法腐蚀工艺研究 - 百度学术
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2009年1月19日 湿法制备超细粒碳化硅微粉试验研究- 湿法制备超细粒碳化硅微粉试验研究 首页 文档 视频 音频 文集 文档 公司财报 ... 不仅非磁性产品中全铁含量由 0.31% 降低到 0.11%，而且非磁性产品中碳化硅分布率也较低， 因此磁选 ...2006年4月26日 碳化硅濕法分選 超细硅酸铝 超压梯形磨粉机价格 直齿轮加工上海 静电分离设备 磨机工艺图 颚式破碎机怎么调整 上一页:筛洗砂机 下一页:园锥破碎机PYZ-900 破碎设备 ...硅酸盐水泥熟料是有哪几种矿物组成 -采石场设备网
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摘要 半导体碳化硅(4H-SiC)材料具有硬度高、脆性大、化学性质稳定等特点,一般使用化学机械抛光工艺来加工4H-SiC以获得超光滑平坦表面。湿法氧化作为单晶4H-SiC化学机械抛光的重要过程,直接影响着化学机械抛光的速率和表...2017年3月22日 摘要 粉体采用湿法分级工艺，是干法分级不可代替的传统工艺。 溢流分级使颗粒表面更清洁，粒度氛围更趋于符合产品的组成范围。本文阐述了以碳化硅、刚玉微粉为例的分级工艺，希望起到抛砖引玉的效果。 一、对粉体湿法分级工艺的认识 ...碳化硅、刚玉微粉湿法分级工艺介绍_技术_磨料磨具网_磨料 ...
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2015年1月13日 筛分法是一种最传统的碳化硅粒度测试方法。 它是使颗粒通过不同尺寸的筛孔来测试粒度的。筛分法分干筛和湿筛两种形式，可以用单个筛子来控制单一粒径碳化硅颗粒的通过率，也可以用多个筛子叠加起来同时测量多个粒径颗粒的通过率，并计算出百分数。2022年4月28日 书籍：《炬丰科技-半导体工艺》 文章：湿法化学刻蚀制备碳化硅量子点 编号：JFKJ-21-1667 作者：华林科纳 引言 寻找理想的体内发光生物标志物是一个巨大的挑战，因为需要满足严格的标准:生物标志物应该(I)无毒和生物惰性，(ii)光稳定，即不发光，iii)不显示发光的间歇性，即不应该有闪烁，(iv ...《炬丰科技-半导体工艺》湿法化学刻蚀制备碳化硅量子点 - 知乎
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