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2022年12月1日 碳化硅因其出色的物理性能，如高禁带宽度、高电导率和高热导率，有望成为未来制作半导体芯片的主要材料之一。为了确保SiC器件的优质应用，本文将详细介 2019年9月5日 碳化硅功率器件整个生产过程大致如下图所示，主要会分为碳化硅单晶生产、外延层生产、器件制造三大步骤，分别对应产业链的衬底、外延、器件和模组三大环 第三代半导体发展之碳化硅（SiC）篇 - 知乎
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2024年1月26日 半导体碳化硅(SiC)是一种Si元素和C元素以1:1比例形成的二元化合物，即百分之五十的硅（Si）和百分之五十的碳（C），其基本结构单元为 Si-C 四面体。 而碳化 2020年6月10日 碳化硅的合成、用途及制品制造工艺. 碳化硅 (SiC)，又称金刚砂。. 1891年美国人艾契逊 (Acheson)发明了碳化硅的工业制造方法。. 碳化硅是用天然硅石、碳、木 碳化硅的合成、用途及制品制造工艺
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2023年6月22日 碳化硅是怎么制成的？ 最简单的碳化硅制造方法是在高达 2500 摄氏度的高温下熔化硅砂和碳（例如煤）。颜色更深、更常见的碳化硅通常包含铁和碳杂质，但纯 2024年8月16日 如果从结构上来说，硅和碳化硅MOSFET是一样的，但是从制造工艺和设计上来说，由于碳化硅材料和硅材料的特性导致它们要考虑的点大部分都不太一样。一文为您揭秘碳化硅芯片的设计和制造 - 电子工程专辑 EE ...
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2023年1月17日 碳化硅晶片是以高纯硅粉和高纯碳粉作为原材料，采用物理气相传输法（PVT） 生长碳化硅晶体，加工制成碳化硅晶片。 ①原料合成。 将高纯硅粉和高纯碳粉 2019年7月18日 碳化硅（SiC）属于第三代半导体材料，具有1X1共价键的硅和碳化合物，其莫氏硬度为13，仅次于钻石（15）和碳化硼（14）。. 据说，SiC在天然环境下非常罕见，最早是人们在太阳系刚诞生的46亿年前 带你全方位了解碳化硅(SiC) - ROHM技术社区
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2024年5月6日 碳化硅晶圆：特性与制造，一步了解. 碳化硅晶圆的工作流程涉及多个关键步骤，这些步骤共同确保了碳化硅晶圆的高品质制造，需要制备 碳化硅 晶圆的前驱体。. 2019年7月18日 碳化硅（SiC）属于第三代半导体材料，具有1X1共价键的硅和碳化合物，其莫氏硬度为13，仅次于钻石（15）和碳化硼（14）。据说，SiC在天然环境下非常罕见，最早是人们在太阳系刚诞生的46亿年前 带你全方位了解碳化硅(SiC) - ROHM技术社区
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2 天之前 该法生产的碳化硅粉体不够细，杂质多，能耗低，效率低，但由于操作工艺简单，仍被广泛用于碳化硅的制备。 以下是几种常见的固相法。 1) 机械粉碎法：将粉体颗粒状的碳化硅在外力作用下将他研磨煅烧一系列操作后得到超细粉体，该工艺及设备简单，成本也低，但效率高，缺点就是反应中易 ...2023年12月31日 书籍：《炬丰科技-半导体工艺》 文章： 碳化硅大功率高频电子器件上的薄氮化镓 编号：JFKJ-21-1162 作者：华林科纳 在碳化硅(SiC)上开发了更薄的III族氮化物结构，以期实现高功率和高性能高频薄高电子迁移率晶体管和其他器件。第三代半导体材料-碳化硅（SiC）详述_碳化硅射频器件 ...
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2023年3月13日 而碳化硅衬底的抛光工艺可分为粗抛和精抛，粗抛为机械抛光，主要用于去除研磨后衬底表面的损伤、进行平坦化处 理，目前较为主流的是使用化学机械抛光。外延工艺效率低：碳化硅的气相同质外延一般要在 1500℃以上的高温下进行。2019年6月13日 二是碳化硅芯片主要的工艺设备基本上被国外公司所垄断，特别是高温离子注入设备、超高温退火设备和高质量氧化层生长设备等，国内大规模建立碳化硅工艺线所采用的关键设备基本需要进口。三是碳化硅器件高端检测设备被国外所垄断。 4. 碳化硅功率模块系列详解第三代半导体发展之碳化硅（SiC）篇_材料
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2024年5月17日 碳化硅从材料到器件的制造过程会经历单晶生长、晶锭切片、外延生长、晶圆设计、制造、封装等工艺流程。碳化硅产业链上游为衬底和外延；中游为器件和模块制造环节，包括SiC二极管、SiCMOSFET、全SiC模块、SiC混合模块等；下游应用于5G通信、国防2016年3月9日 由于SiC原子结构中C-Si键键能较高，杂质扩散所要求的温度(>1800 °C)大大超过标准器件工艺的条件，传统的扩散掺杂工艺已经不能用于SiC的掺杂是最基本的器件工艺，主要靠离子注入和材料制备过程中的伴随掺杂来满足制造碳化硅器件的需要。深入探讨碳化硅工艺：半导体材料的新一代继承者 - 世强硬 ...
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高纯碳化硅粉体合成方法及合成工艺展望 2020-08-21 14:41 碳化硅作为第三代半导体的代表材料之一，适合于制作高温、高频、抗辐射、大功率和高密度集成的电子器件。目前制作器件用的碳化硅单晶衬底材料一般采用PVT (物理气相传输)法生长。研究 ...2020年3月16日 着工艺技术的发展和栅氧界面处理技术的成熟，2010 年Cree 和Rohm 推出了平面栅MOSFET 产 品[2] ，2015 年Rohm 继续优化推出了沟槽栅 MOSFET，Infineon 也于2017 年发布了沟槽栅 MOSFET[3]。 本文对近年的研究成果进行分类梳理，并进行 对比分析碳化硅功率器件技术综述与展望 - CSEE
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2023年9月26日 碳化硅(silicon carbide，SiC)功率器件作为一种宽禁带器件，具有耐高压、高温，导通电阻低，开关速度快等优点。如何充分发挥碳化硅器件的这些优势性能则给封装技术带来了新的挑战：传统封装杂散电感参数较大，难以匹配器件的快速开关特性；器件高温工作时，封装可靠性降低；以及模块的多功能 ...2017年4月9日 硅材料有着显著的区别。结合不同碳化硅材料的制 备工艺(见表2)，分别从组成、显微结构、性能及应用 特点等方面对比介绍了上述四种材料的特点，见图1 和表3。表2 不同碳化硅材料的制备工艺比较 项 目 重结晶 碳化硅 无压烧结 碳化硅 反应烧结 碳化硅 自结合重结晶碳化硅材料的制备与应用研究进展
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2024年1月23日 无法使用常见的光刻胶作掩膜等等，所以离子注入工艺成为了碳化硅 掺杂的唯一选择。 图1. SiC和Si中主要掺杂杂质的扩散常数对比图 在离子注入过程中，离子因为与衬底晶格原子碰撞逐渐失去能量，同时会将能量转移 ...2021年8月18日 ZHANG等利用自制的3D打印设备采用自由挤出成型技术进行了复杂结构碳化硅陶瓷制备工艺的探索，高固含量的浆料有利于成型，可减少浆料干燥时开裂的可能性并提高烧结后陶瓷的强度，但会增加挤出难度。目前，3D打复杂结构碳化硅陶瓷制备工艺的研究进展_烧结
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2023年7月14日 因为碳化硅在生产环节存在单晶生产周期长、环境要求高、良率低等问题，碳化硅衬底的生产中的长晶环节需要在高温、真空环境中进行，对温场稳定性要求高，并且其生长速度比硅材料有数量级的差异。因此，碳化硅衬底生产工艺难度大，良率不高。2023年7月7日 导电型碳化硅衬底主要应用于制造功率器件。与传统硅功率器件制作工艺不同，碳化硅功率器件不能直接制作在碳化硅衬底上，需在导电型衬底上生长碳化硅外延层得到碳化硅外延片，并在外延层上制造肖特基二极管、MOSFET、IGBT等功率器件。碳化硅介绍：三种SiC衬底制作方法对比-电子发烧友网
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4 天之前 通过对现有碳化硅衬底磨抛技 术的总结及分析，未来碳化硅衬底磨抛加工技术的 发展将集中在工艺参数的优化、新磨料及抛光液的 研究、加工设备的自动化和智能化发展、环保加工方 法的开发、多尺度磨抛加工以及跨学科研究等方面.通过PVT工艺，使多晶碳化硅（SiC）在高温（1,800 – 2,600℃）和低压真空环境下从原料中升华。 由此产生的硅和碳颗粒在工艺气体气（如惰性气体：氩气）中经过自然传输机制被输送到较冷的籽晶中，通过过饱和状态而产生结晶。物理气相传输（PVT） - PVA TePla
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2022年4月24日 本文基于对碳化硅材料烧结行为、显微结构以及力学性能的认识，综述了碳化硅烧结工艺的发展及烧结助剂的选择标准，同时分析和介绍了碳化硅陶瓷材料在传统工业与现代科技领域的应用现状。 关键词：碳化硅陶瓷；烧结技术；烧结助剂；碳化硅应用 0 引 言2020年12月30日 摘要：简述了在SiC材料半导体器件制造工艺中,对SiC材料采用干法刻蚀工艺的必要性.总结了近年来SiC干法刻蚀技术的工艺发展状况. 关键词：碳化硅(SiC)；干法刻蚀；制造工艺 半导体器件已广泛应碳化硅(SiC)器件制造工艺中的干法刻蚀技术_材料
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碳化硅镀膜工艺-碳化硅镀膜工艺一、引言1. 背景介绍：碳化硅在电子器件中的应用2. 碳化硅镀膜的重要性：提高器件性能、降低成本3. 论文目的：详细介绍碳化硅镀膜工艺二、碳化硅材料特性1. 物理性质：晶格结构、离子扩散、能带结构2.2023年6月28日 书中详细介绍了碳化硅材料在功率器件、微波器件和光电子器件中的应用。重点讲解了碳化硅功率器件的结构和特点，如MOSFET、JFET、Schottky二极管和晶体管。书中还讨论了碳化硅器件制造中的关键技术和挑战，包括工艺和加工技术、掺杂和封装技术等。《碳化硅技术基础》书评：SiC工艺的增长、表征、器件和应用
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2024年4月10日 对于碳化硅晶圆分片工艺 ，传统的加工方法为金刚石刀轮切割，这种机械磨削式工艺方法优点是技术非常成熟、市场占有率很高，不足之处是加工效率低、加工过程中耗材（纯水、刀具磨损等）使用量大、芯片材料损耗高等。尤其是背金去除部分 ...4 天之前 一、碳化硅晶片生产工艺流程 碳化硅晶片生产流程 碳化硅晶片以高纯硅粉和高纯碳粉作为原材料，采用物理气相传输法（PVT）生长碳化硅单晶，再在衬底上使用化学气相沉积法（CVD法）等生成外延片，最后制成相关器件。一文看懂碳化硅晶片加工及难点 - 艾邦半导体网
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2022年11月2日 碳化硅特色工艺模块主要涵盖注入掺杂、栅结构成型、形貌刻蚀、金属化、减薄工艺。 （1） 注入掺杂 ：由于碳化硅 中碳硅键能高，杂质原子在碳化硅中难以扩散， 制备碳化硅器件时 PN结的 掺杂只能依靠 高温下 离子注入的方式 实现。2023年8月17日 碳化硅功率器件与传统硅功率器件制作工艺不同，不能直接制作在碳化硅单晶材料上，必须在导通型单晶衬底上额外生长高质量的外延材料，并在外延层上制造各类器件。碳化硅一般采用PVT方法，温度高达2000多度，且一文了解碳化硅外延-电子工程专辑
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2022年11月22日 在上世纪八十年代以前，碳化硅化学气相沉积外延一般都是在碳化硅晶圆正轴(0001)晶向上，需要的工艺温度非常高，而且有着多型体混合的严重问题。 90年代初，Matsunami等人首先研究了不同偏角下的外延多型体情况，并提出了6H-SiC外延的最佳偏角 2022年8月24日 4）晶圆加工，通过光刻、沉积、离子注入和金属钝化等前段工艺加工形成的碳化硅晶圆，经后段工艺可制成碳化硅芯片； 5）器件制造与封装测试，所制造的电子电力器件及模组可通过验证进入应用环节。 碳化硅产品从生产到应用的全流程历时较长。新能源｜碳化硅产业链研究（产业链篇）_器件_工艺流程_外延
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2022年2月9日 经过大量试验摸索，几种针对碳化硅的沟道自对准工艺开发完 成，即使在现有的光刻机能力下也可实现0.8微米以下的沟道长度，SiC MOSFET比导通电阻值因此得到进一步显著降低。图3说明 了瑞能SiC MOSFET由于采用沟道自对准工艺带来的性能优势。2024年4月18日 三、Acheson工艺 Acheson工艺是一种传统的SiC生产方法。在此过程中，将混 合好的硅砂和碳素材料填充在特制的石墨坩埚中，利用电弧炉产生的高温进行反应。炉温在反应区可达2400°C，这时硅砂和碳在石墨电极的电场作用下发生反应，生成碳化硅。浮思特｜碳化硅SiC生产工艺的全景解析 - 百家号
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碳化硅工艺过程简述-（2）氧碳化硅层该层物料实际上是半反应的料，主要是还未反应的碳和二氧化硅，也有一部分为已经反应成的碳化硅（约占20~50%）。未反应的二氧化硅和碳，其形态已经发生很大变化，因此不同于乏料。
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